昭和電工、高品質SiCエピウェハーの生産増強

荷主昭和電工は14日、パワー半導体材料の高品質SiCエピウェハ―「ハイグレードエピ」（HGE）の生産能力を増強すると発表した。2018年4月から稼働開始し、月産能力を現在の3000枚から5000枚へ引き上げる。

SiCパワー半導体は、主流のSi（シリコン）に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体材料で、次世代パワー半導体として注目され、SiCパワーデバイス市場は2020年までに年率27％の大きな伸びが見込まれている。SiCパワー半導体は車載利用の早期実用化も検討されており、SiCエピウェハーの市場規模は2020年に200億円規模に拡大する見通し。

同社ではHGE生産のフル稼働が続いており、来年以降、SiC-MOSFET市場の本格的な立ち上がりが見込まれることから、生産能力の増強を決めた。