富士電機、パワー半導体ラインを新設

荷主富士電機は、SⅰC（シリコンカーバイド）素子を用いたパワー半導体のラインを新設する。

パワー半導体の生産拠点である松本工場（長野県松本市）に、SⅰC生産設備として、前工程の6インチウェハープロセスライン、後工程の組立・試験ラインを新設するもので、生産能力は前工程が月産1500枚、後工程が80k台を計画している。投資額は33億円で、10月に稼働を開始する。

これまで主流だった3インチや4インチの前工程プロセスラインとは異なり、本格的なSiCの普及を前提に最先端の6インチラインを構築し、後工程の組立・試験を自動化ラインとすることで、SⅰC素子の低コスト化を図るとともに、SⅰCを適用したパワエレ機器製品の市場投入を加速する狙い。