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荷主化学素材メーカーのADEKA（アデカ、東京都荒川区）は10月31日、同社の鹿島化学品工場（茨城県神栖市）内に「次世代EUV（極端紫外線）リソグラフィ」（高NA EUV）向けのMOR（金属酸化物レジスト）用金属化合物のプラントを新設すると発表した。投資額は32億円で2026年4月に着工、28年4月の運転開始を目指す。
半導体の高集積化や高積層化が進むなか、半導体製造でシリコンウエハー上にフォトレジストを塗布し光を照射して微細な回路パターンを形成するリソグラフィ（露光）工程では、「高NA EUV露光」技術が本格導入される見通しとなっている。高NA EUV露光技術は、メモリ（HBM）やロジック半導体のさらなる微細化に対応するため、EUV露光装置のレンズ開口数を拡大し、露光の解像度を高めるもので、より微細なパターンを形成できるようになる。
▲新プラントを建設予定の鹿島化学品工場（出所：ADEKA）
これに伴い、露光工程で使用されるフォトレジストでは、現在主流のCAR（化学増幅型レジスト）と併用する形で、新しいコンセプトのMORの採用が拡大していくと予測されている。
新プラントで製造するMOR用金属化合物は、同社の金属錯体技術を応用して製品化した。同社は「フォトレジストのEUV吸収率やエッチング耐性を向上させるキーマテリアルであり、先端メモリ向け高誘電材料を創出するうえで欠かせない」としている。
すでに鹿島化学品工場内のALD（原子層堆積）材料製造ラインで量産化と出荷を開始しており、さらなる需要拡大に対応するため、専用プラントを新設することにした。
建屋内には将来的な増設スペースも確保するとともに、次世代リソグラフィ工程の技術革新を見込んだ新規材料の製造も検討している。
同社グループでは26年1月、久喜開発研究所（埼玉県久喜市）内に新研究棟が完成する予定で、ALD材料とCAR、MOR向け材料の開発体制をさらに強化していく。
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