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拠点・施設米マイクロン・テクノロジーは26日、シンガポールの既存NAND型フラッシュメモリー製造拠点内で、先端ウエハー製造工場の建設を開始したと発表した。今後10年間で240億ドルを投じ、クリーンルーム面積は最終的に6万5000平方メートル規模に拡張する計画だ。量産開始は2028年後半を予定し、AI（人工知能）やデータ集約型用途の拡大で高まるNAND需要への対応を狙う。
同施設はシンガポール初の二層構造ファブとなり、政府高官や経済開発庁（EDB）などが出席して起工式が行われた。新工場は同国に構えるNANDの中核拠点に組み込まれ、研究開発機能と製造の近接配置により技術移行の迅速化や市場投入までのリードタイム短縮を図る。
マイクロンはすでに同拠点で高帯域幅メモリ（HBM）の先端パッケージング工場を建設中で、27年から供給に寄与する見通しだ。今回の新ファブと合わせ、NANDとDRAMの生産拠点を一体運用することで工程面の相乗効果を見込む。需要動向に応じて段階的に生産能力を引き上げる柔軟運営も想定している。
今回の投資により1600人の新規雇用を創出し、HBM（高帯域幅メモリー）関連の既存計画と合わせると計3000人規模の雇用増となる。工場運営にはAIや高度ロボット、自動化技術を積極導入し、スマートマニュファクチャリングを前提とした生産体制を構築する。
施設は温室効果ガス削減、水再利用、廃棄物循環などを組み込んだ環境配慮型設計とし、LEED基準にも準拠する。
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