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調査・データ経営コンサルティング会社のA.T.カーニー（東京都港区）は6日、AI向け需要の拡大に伴い、データ保存に使われるNAND型フラッシュメモリーの供給不足が長期化するとの分析を公表した。半導体メーカーの設備投資が収益性の高いAI向け高速メモリーに集中していることが背景にあり、一部の製品では2030年まで需給が逼迫すると予測。製造業などに対し、調達契約や製品設計の見直しを求めている。
同社が公開した論考「深刻化するストレージ不足」によると、26年のNAND関連設備投資は前年比5％増の220億ドルにとどまる一方、DRAMは14％増の610億ドルに拡大する見通し。主要半導体メーカーがAI向けの高帯域幅メモリー（HBM）やDRAMへの投資を優先することで、NANDの生産能力拡大が抑えられている。
同社の需給モデルによる標準シナリオでは、企業向けのQLC・TLC製品や先端積層世代のNANDは30年まで供給不足が続く。26～29年のウエハー需要が年率8～12％増加する一方、供給の伸びは同2～4％にとどまる見込み。一般的な機器に使われるTLC製品も、28年の需給改善は限定的とみている。
供給不足の影響は用途によって異なる。AIインフラ向けには高価格での購入や早期の発注確約を条件に供給が優先される一方、消費者向け製品では値上がりや欠品が先行する可能性がある。産業制御機器や自動車向けでは、高信頼性メモリーの納期が20週間を超えるケースがあり、製品認定に時間を要するため、代替品への切り替えも容易ではない。
今後の需給を左右する要因として、中国メーカーの増産と次世代技術の普及を挙げた。中国の増産分が国際市場に供給されれば、主流製品の需給は28年にも緩和する可能性がある。一方、NANDを用いた高帯域フラッシュ（HBF）が普及した場合、AI向けの新たな需要が生まれ、生産能力や設備投資が高価格帯の製品へ集中する恐れがある。
同社は、供給を優先的に確保する製品の選定、製品品種の簡素化、複数年契約による調達などを提言した。さらに、用途に応じたストレージ構成の見直しやデータ容量の削減、異なる種類のメモリーに対応できる製品設計を進める必要があると指摘している。
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