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キオクシア、北上工場で先端メモリー量産

2026年7月6日 (月)

荷主キオクシア(東京都港区)は3日、サンディスク(米国)とともに岩手県北上市の北上工場第2製造棟(K2棟)で、第10世代3次元フラッシュメモリーの生産を開始したと発表した。AI(人工知能)市場の拡大を背景に高まるNANDフラッシュメモリー需要に対応し、生産能力の拡充を進める。

K2棟は2025年9月に稼働を開始し、第8世代3次元フラッシュメモリーを生産してきた。今回、第10世代製品の生産を開始したことで、最先端製品の供給体制を強化する。第8世代、第10世代ともにCBA(CMOS directly Bonded to Array)技術を採用し、高性能、大容量、低消費電力を実現している。

工場は免震構造を採用し、人工知能(AI)の活用による生産効率向上や、生産設備を効率的に配置できる設計を取り入れるなど、安定操業と生産性向上を両立する先進的な製造拠点となる。

AI市場の拡大などを背景に高まるフラッシュメモリー需要に対応し、安定供給体制を強化する取り組みとして位置づけられる。両社は長年にわたる合弁事業を2034年12月まで延長しており、共同開発と共同投資を継続し、最先端フラッシュメモリーの安定供給と競争力強化を進める。

北上工場を運営するキオクシア岩手は、第10世代製品の生産開始により、急速に成長するAI市場へ先端メモリーを供給するとともに、地域経済や半導体関連産業の発展にも寄与するとしている。サンディスクも今回の生産開始について、日米協力による技術革新と持続的な投資戦略を象徴する成果と位置づけている。

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