三菱電機、SiCパワー半導体工場新棟を建設｜短報

▲SiC8インチウエハ新工場棟イメージ（出所：三菱電機）

拠点・施設三菱電機は14日、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体の生産体制強化に向けて新工場棟を建設すると発表した。熊本県菊池市内に建設する「SiC8インチウエハ新工場棟」は、最先端の省エネ性能を有するクリーンルームを導入。徹底した自動化により高い生産効率を実現する。稼働は2026年4月を予定。さらに福岡県にも新工場を構え、点在している組み立て・検査工程を集約して迅速な製品量産化体制を整える。SiCはパワー半導体の次世代素材とされ、現在主力のSi（シリコン）素材よりも電力損失が小さいのが特徴。SiCパワー半導体は、電気自動車（EV）向け需要の拡大などに伴い急速な市場成長が見込まれる。同社はパワーデバイス事業において、2021〜25年度までに従来計画比で2倍増の2600億円を投じるとしている。

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