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荷主半導体製造装置大手ASML（オランダ）とTSMC（台湾）は8日、次世代のHigh NA EUV露光技術で使うフォトマスクを、現在主流の6インチから12インチへ大型化する業界横断の共同構想を発表した。2031年までに12インチマスクの試験生産ラインを整備し、33年までに先端半導体の量産へ対応できる露光システムの準備を整える。
High NA EUVは、より微細な半導体回路の形成に対応する露光技術で、当面は現行の6インチマスクを使って量産導入する。両社は、その後12インチ化を進めることで、露光装置の生産性向上や半導体製造コストの低減、露光時のつなぎ合わせ工程に伴う制約の解消につなげるとしている。
TSMCは30年から先端ノードの量産でASMLのHigh NA技術を活用する方針。AI（人工知能）向け半導体の高度化に伴ってトランジスタ構造が複雑化し、High NA EUVを使う工程数も増えるとみている。
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